龍健集團成員企業

返回列表 返回
列表

LED芯片原理知識大全一覽

1、LED簡史


   50年前人們已經了解半導體材料可產生光線的基本知識。1962年,通用電氣公司的尼克?何倫亞克(NickHolonyakJr.)開發出第 一種實際應用的可見光發光二極管。


   LED是英文light emitting diode(發光二極管)的縮寫,它的基本結構是一塊電致發光的半導體材料,置于一個有引線的架子上,然后四周用環氧樹脂密封,即固體封裝,所以能起到保護內部芯線的作用,所以LED的抗震性能好。


   最初LED用作儀器儀表的指示光源,后來各種光色的LED在交通信號燈和大面積顯示屏中得到了廣泛應用,產生了很好的經濟效益和社會效益。以12英寸的紅色交通信號燈為例,在美國本來是采用長壽命、低光效的140瓦白熾燈作為光源,它產生2000流明的白光。經紅色濾光片后,光損失90%,只剩下200流明的紅光。而在新設計的燈中,Lumileds公司采用了18個紅色LED光源,包括電路損失在內,共耗電14瓦,即可產生同樣的光效。汽車信號燈也是LED光源應用的重要領域。


   2、LED芯片原理


   LED(Light Emitting Diode),發光二極管,是一種固態的半導體器件,它可以直接把電轉化為光。LED的心臟是一個半導體的晶片,晶片的一端附在一個支架上,一端是負極,另一端連接電源的正極,使整個晶片被環氧樹脂封裝起來。半導體晶片由兩部分組成,一部分是P型半導體,在它里面空穴占主導地位,另一端是N型半導體,在這邊主要是電子。


   但這兩種半導體連接起來的時候,它們之間就形成一個“P-N結”。當電流通過導線作用于這個晶片的時候,電子就會被推向P區,在P區里電子跟空穴復合,然后就會以光子的形式發出能量,這就是LED發光的原理。而光的波長也就是光的顏色,是由形成P-N結的材料決定的。

1.jpg

2.png

3.jpg

4.jpg

LED芯片發光原理

5.png

6.png

7.png

led芯片內部結構圖


   3、LED芯片的分類


   MB芯片定義與特點

   定義:Metal Bonding(金屬粘著)芯片,該芯片屬于UEC的專利產品。

   特點:

   采用高散熱系數的材料 —— Si作為襯底,散熱容易。

   通過金屬層來接合(wafer bonding)磊晶層和襯底,同時反射光子,避免襯底的吸收。

   導電的Si襯底取代GaAs襯底,具備良好的熱傳導能力(導熱系數相差3~4倍),更適應于高驅動電流領域。

   底部金屬反射層,有利于光度的提升及散熱。

   尺寸可加大,應用于High power領域,eg:42mil MB。


   GB芯片定義和特點

   定義:Glue Bonding(粘著結合)芯片,該芯片屬于UEC的專利產品。

   特點:

   透明的藍寶石襯底取代吸光的GaAs襯底,其出光功率是傳統AS(Absorbable structure)芯片的2倍以上,藍寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底。

   芯片四面發光,具有出色的Pattern圖。

   亮度方面,其整體亮度已超過TS芯片的水平(8.6mil)。

   雙電極結構,其耐高電流方面要稍差于TS單電極芯片。


   TS芯片定義和特點

   定義:transparent structure(透明襯底)芯片,該芯片屬于HP的專利產品。

   特點:

   芯片工藝制作復雜,遠高于AS LED。

   信賴性卓越。

   透明的GaP襯底,不吸收光,亮度高。

   應用廣泛。


   AS芯片定義和特點

   定義:Absorbable structure (吸收襯底)芯片,經過近四十年的發展努力,臺灣LED光電業界對于該類型芯片的研發、生產、銷售處于成熟的階段,各大公司在此方面的研發水平基本處于同一水平,差距不大。

   大陸芯片制造業起步較晚,其亮度及可靠度與臺灣業界還有一定的差距,在這里我們所談的AS芯片,特指UEC的AS芯片,eg:712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR等。

   特點:

   四元芯片,采用MOVPE工藝制備,亮度相對于常規芯片要亮。

   信賴性優良。

   應用廣泛。


   4、LED芯片材料磊晶種類


   LPE:Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP


   VPE:Vapor Phase Epitaxy(氣相磊晶法) GaAsP/GaAs


   MOVPE:Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有機金屬氣相磊晶法) AlGaInP、GaN


   SH:GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(單異型結構)GaAlAs/GaAs


   DH:GaAlAs/GaAs Double Heterostructure(雙異型結構) GaAlAs/GaAs


   DDH:GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure(雙異型結構) GaAlAs/GaAlAs


   5、LED芯片組成及發光


   LED晶片的組成:主要有砷(AS)鋁(AL)鎵(Ga)銦(IN)磷(P)氮(N)鍶(Si)這幾種元素中的若干種組成。


   LED晶片的分類:


   按發光亮度分

   一般亮度:R、H、G、Y、E等

   高亮度:VG、VY、SR等

   超高亮度:UG、UY、UR、UYS、URF、UE等

   不可見光(紅外線):R、SIR、VIR、HIR

   紅外線接收管:PT

   光電管:PD


   按組成元素分

   二元晶片(磷、鎵):H、G等

   三元晶片(磷、鎵、砷):SR、HR、UR等

   四元晶片(磷、鋁、鎵、銦):SRF、HRF、URF、VY、HY、UY、UYS、UE、HE、UG

回到頂部

400-888-7023

在線咨詢

關注我們

二維碼
国产成人精品一区二区秒拍_老色妞网站老色妞影院少妇_国产在线精品一区二区三区